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    渦流探傷“記錄” 否則前功盡棄
    點擊次數:967 發布時間:2017-03-02
       渦流探傷是一款專門為客戶定制的產品,可測非導磁體和鐵磁材料,有1、2或3通道可配電渦流探頭。渦流探傷材料、線性、分辨率、帶寬各種性能可自行優化,埃米級分辨率,符合CE和RoHS標準,尺寸小巧,可配13種電渦流探頭。
      探傷儀器參數的調整非常重要,利用標樣管的人工缺陷調校儀器增益、相位和頻率,使其阻抗滿足下述要求。
      (1)管內、外壁缺陷之間有相當的相位差,以便于分析。一般若穿孔缺陷設為40°,則內、外壁深50%的缺陷角度差約為90°較適宜。
      (2)管內、外壁缺陷之間相同當量的幅值比約為0.4左右。
      (3)信噪比適中。
      實際探傷中,對在役管在搶修或檢修期間進行渦流探傷,都有一定的時間限制,要求在較短的時間內快速查出故障部位。使現場為在規定的時間內完成任 務,而盲目加快探傷速度,過快的速度會使缺陷信號幅值變小,不易識別,易造成誤判和漏判。探傷專業人員長時間兩眼盯住計算機屏幕,較易疲勞,故每隔2~4 h應換1次班或休息片刻?,F場試驗中,完整正確的試驗記錄是十分重要的,不能有半點馬虎,否則前功盡棄。
      渦流探傷檢測是以電磁感應理論為基礎的。給探頭中的激勵線圈通電流,當探頭靠近導體時,在導體中產生感應渦流,渦流的分布又影響著線圈周圍的磁 場,使線圈的阻抗產生增量δz。當導體中存在缺陷時,相當于一個等效的電流源,它在空間產生擾動磁場,使線卷阻抗增量δz發生變化,渦流檢測儀器根據該變 化來識別缺陷。其函數關系為z=f(ρ、μ、γ、f、x)式中,ρ為被測體的電阻率;μ為被測體的磁導率;γ為線圈與被測體尺寸因子;f為線圈激勵電流頻率;x為線圈與導體間的距離。
      將基于阻抗分析的渦流探傷技術稱為ia-ect。近年來,鑒于渦流探傷微型探頭技術的發展和診斷缺陷的需要,而提出新的基于場量分析的渦流無損檢測 技術稱為fa-ect。目前市場上有基于ia-ect理論的單頻和多頻的渦流探傷儀,其廣泛地應用在工業生產中。而基于fa-ect的儀器正在研制中,國 外已有成型產品上市。
      渦流探傷儀是一個相對量的儀器,它的標定要依靠標準試樣管,標準試樣管按照國標的規定必須采用與被檢管材同規格、同材質且無缺陷的管子制作。
     
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